IRFR9120N是一款由英飛凌(Infineon)制造的高性能MOSFET晶體�,具體為P溝道增強型垂直DMOS場效應晶體管。該器件采用TO-263封裝形式,廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換�、負載開關以及電機驅動等領域。其主要特點是低導通電阻和高電流處理能�,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
該器件具有出色的熱性能和電氣特�,適合用于需要高效能和高可靠性的電路設計中�
型號:IRFR9120N
類型:P-Channel MOSFET
封裝:TO-263
Vds(漏源電壓)�-55V
Rds(on)(導通電阻)�8mΩ(典型�,Vgs=-10V時)
Id(連續(xù)漏極電流):-47A
Ptot(總功耗)�110W
結溫范圍�-55°C � +175°C
Vgs(柵源電壓):�20V
Qg(柵極電荷)�21nC(最大值)
IRFR9120N的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻Rds(on),有助于降低導通損�,提升整體效率�
2. 高額定電流能�,可支持高達47A的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應��
3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內�(wěn)定工��
4. 快速開關速度,有助于減少開關損��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設計中�
6. 封裝堅固耐用,能夠承受較高的機械應力�
IRFR9120N常被用于以下應用場景�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC轉換器的主開關或�(xù)流二極管替代�
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關�
4. 電機驅動電路中的功率控制元件�
5. 各類工業(yè)設備中的功率管理模塊�
6. 汽車電子中的電源切換和保護功��
7. 其他需要高效功率開關的應用領域�
IRFP9120, IRFR9122