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IRFS3107-7PPBF 發(fā)布時間 時間:2023/3/7 14:29:17 查看 閱讀:322

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

  

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.6 毫歐 @ 160A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss):75V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:240A

    Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs:240nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :9200pF @ 50V

    功率 - 最大:370W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:D2Pak, TO-263 (6 引線 + 接片)

    包裝:管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK (7-Lead)


資料

廠商
Infineon Technologies

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irfs3107-7ppbf參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)75V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C240A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.6 毫歐 @ 160A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs240nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9200pF @ 50V
  • 功率 - 最大370W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D2PAK(7-Lead)
  • 包裝管件