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IRFS3107-7PPBF 發(fā)布時間 時間：2023/3/7 14:29:17 查看 閱讀：322

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：HEXFET?

  

目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：HEXFET?

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點：標準型

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.6 毫歐 @ 160A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：75V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：240A

    Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：240nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：9200pF @ 50V

    功率 - 最大：370W

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：D2Pak, TO-263 (6 引線 + 接片)

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK (7-Lead)


資料

廠商
Infineon Technologies

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irfs3107-7ppbf參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)75V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C240A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C2.6 毫歐 @ 160A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs240nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9200pF @ 50V
  • 功率 - 最大370W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D2PAK（7-Lead）
  • 包裝管件