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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRFU120PBF

IRFU120PBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/7 14:15:44 查看 閱讀�633

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�270 毫歐 @ 4.6A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�100V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�7.7A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�16nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �360pF @ 25V

    功率 - 最大:2.5W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引� + 接片)

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*

    其它名稱�*IRFU120PBF


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

irfu120pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irfu120pbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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irfu120pbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRFR120, IRFU120
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.7A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫歐 @ 4.6A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds360pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 短引�,IPak,TO-251AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-251AA
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFU120PBF