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IRFU1N60APBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/7 14:15:17 查看 閱讀�652

    晶體管極�:N溝道

    漏極電流, Id 最大�:1.4A

    電壓, Vds 最�:600V

   

目錄

概述

    晶體管極�:N溝道

    漏極電流, Id 最大�:1.4A

    電壓, Vds 最�:600V

    開態(tài)電阻, Rds(on):7ohm

    電壓 @ Rds測量:10V

    電壓, Vgs 最�:30V

    功�:36W

    工作溫度范圍:-55°C to +150°C

    封裝類型:I-PAK

    功率, Pd:36W

    封裝類型:I-PAK

    封裝類型, 替代:I-PAK

    晶體管數(shù):1

    晶體管類�:MOSFET

    溫度 @ 電流測量:25°C

    滿功率溫�:25°C

    電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V

    電壓, Vds 典型�:600V

    電流, Id 連續(xù):1.4A

    電流, Idm 脈沖:5.6A

    �(jié)�, Tj 最�:-55°C

    �(jié)�, Tj 最�:150°C

    表面安裝器件:通孔安裝

    閾值電�, Vgs th 典型�:4V

    閾值電�, Vgs th 最�:4V


資料

廠商
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irfu1n60apbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRFR1N60A, IRFU1N60A
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 歐姆 @ 840mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds229pF @ 25V
  • 功率 - 最�36W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 短引�,IPak,TO-251AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-251AA
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFU1N60APBF