IRFU1N60APBF
�(shí)間:2023/3/7 14:15:17
閱讀�652
晶體管極�:N溝道
漏極電流, Id 最大�:1.4A
電壓, Vds 最�:600V
概述
晶體管極�:N溝道
漏極電流, Id 最大�:1.4A
電壓, Vds 最�:600V
開態(tài)電阻, Rds(on):7ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最�:30V
功�:36W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:I-PAK
功率, Pd:36W
封裝類型:I-PAK
封裝類型, 替代:I-PAK
晶體管數(shù):1
晶體管類�:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫�:25°C
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型�:600V
電流, Id 連續(xù):1.4A
電流, Idm 脈沖:5.6A
�(jié)�, Tj 最�:-55°C
�(jié)�, Tj 最�:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電�, Vgs th 典型�:4V
閾值電�, Vgs th 最�:4V
irfu1n60apbf推薦供應(yīng)�
更多>
- �(chǎn)品型�
- 供應(yīng)�
- �(shù)�
- 廠商
- 封裝/批號
- 詢價(jià)
- IRFU1N60APBF
- 深圳市威雅利�(fā)展有限公�
- 9000
- Vishay Siliconix
- 23+/TO2513 Short Leads IPak TO251AA
-
irfu1n60apbf參數(shù)
- �(shù)�(jù)列表IRFR1N60A, IRFU1N60A
- �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
- 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
- 家庭FET - �
- 系列-
- FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
- 漏極至源極電�(Vdss)600V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.4A
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 歐姆 @ 840mA�10V
- Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
- 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
- 輸入電容 (Ciss) @ Vds229pF @ 25V
- 功率 - 最�36W
- 安裝類型通孔
- 封裝/外殼TO-251-3 短引�,IPak,TO-251AA
- 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-251AA
- 包裝管件
- 其它名稱*IRFU1N60APBF