IRFU214B 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它屬于Power MOSFET系列,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用TO-252封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合于各種電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電信�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換電路�
型號(hào):IRFU214B
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Vds(漏源極電壓):55V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值@Vgs=10V):37mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):8.6A
Ptot(總功耗)�1.4W
封裝:TO-252 (DPAK)
fT(截止頻率)�190MHz
Ciss(輸入電容)�205pF
Coss(輸出電容)�42pF
Vgs(th)(柵源開啟電壓)�2V~4V
IRFU214B 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體效�。此�,該器件具有較高的開�(guān)速度,能夠滿足高頻應(yīng)用需�。它的封裝形式緊湊,適合空間受限的設(shè)�(jì)�(chǎng)��
該MOSFET的Vds額定值為55V,適用于中等電壓范圍的應(yīng)�,例如直�-直流�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源和負(fù)載切換電�。同�(shí),其較低的柵極電荷使得驅(qū)�(dòng)更加�(jiǎn)單且高效,從而降低了系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本�
由于其出色的熱性能和電氣性能,IRFU214B在需要高性能和可靠性的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
IRFU214B 常用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器
3. 電池充電�
4. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)
5. �(fù)載開�(guān)
6. 通信電源
7. 固態(tài)繼電�
其高頻開�(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其非常適合需要高效率和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)��
IRFZ44N, IRLZ44N