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IRFZ48NPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/3/6 16:56:17 查看 閱讀�390

IRFZ48NPBF是一種N溝道MOSFET功率晶體�,由國際整流器公司(International Rectifier)生�(chǎn)。它采用了先�(jìn)的技�(shù)和設(shè)�(jì),具有高性能和可靠性�
IRFZ48NPBF具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,使其非常適合用于高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。它的導(dǎo)通電阻很�,可以在低電壓下提供較大的電�。這使得它在高功率�(yīng)用中能夠有效地降低功耗和熱量�
該晶體管采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低熱阻和優(yōu)異的熱耗散能力。這使得它能夠在高溫環(huán)境下工作,并且能夠承受較高的功率�(fù)載,提供可靠的性能�
IRFZ48NPBF還具有較低的輸入和輸出電�,這有助于減少開關(guān)損耗和提高開關(guān)速度。它還具有良好的抗干擾能�,能夠在噪聲�(huán)境下�(wěn)定工作�
該晶體管廣泛�(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和控制電路�,如電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器和電流控制器等。它在工�(yè)、汽車和消費(fèi)電子等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用�

參數(shù)指標(biāo)

額定電壓(VDS):55V
  額定電流(ID):64A
  �(dǎo)通電阻(RDS(on)):17.5mΩ(最大值)
  開關(guān)速度(td(on/off)):15ns(最大值)
  輸入電容(Ciss):2590pF(典型值)
  輸出電容(Coss):675pF(典型值)
  反向傳輸電容(Crss):420pF(典型值)

組成�(jié)�(gòu)

IRFZ48NPBF包括一�(gè)N溝道MOSFET晶體�,封裝在TO-220AB封裝中。晶體管�(nèi)部由多�(gè)P�、N型和金屬層組�,形成了一�(gè)PN�(jié)和金�-絕緣�-半導(dǎo)體結(jié)�(gòu)�

工作原理

IRFZ48NPBF的工作原理基于MOSFET的基本原�。當(dāng)施加正向偏置電壓(VGS)時(shí),形成的電場將吸引N溝道中的電子,使其形成導(dǎo)電通道,從而導(dǎo)通VDS間的電流。當(dāng)施加�(fù)向偏置電壓時(shí),電場會阻止電子的運(yùn)�,使其斷開導(dǎo)��

技�(shù)要點(diǎn)

采用先�(jìn)的MOSFET工藝,提高了性能和可靠��
  低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適用于高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
  �(yōu)異的熱耗散能力和低熱阻,適用于高溫�(huán)境和高功率負(fù)��
  低輸入和輸出電容,減少開�(guān)損耗和提高開關(guān)速度�
  良好的抗干擾能力,穩(wěn)定工作在噪聲�(huán)境中�

�(shè)�(jì)流程

�(shè)�(jì)IRFZ48NPBF的電路需要考慮輸入和輸出電�、電流要求,根據(jù)這些要求選擇合適的工作點(diǎn)。然�,根�(jù)MOSFET的參�(shù)和指�(biāo),計(jì)算所需的電�、電容和電感�。繪制電路圖和PCB布局,�(jìn)行電路仿真和�(diào)�,最終�(jìn)行電路測試和�(yàn)��

注意事項(xiàng)

注意IRFZ48NPBF的最大額定電壓和電流,避免超過其額定范圍�
  注意�(dǎo)通電阻和開關(guān)速度的變�,以確保�(shè)備的效率和性能�
  考慮散熱和溫度管�,以確保晶體管在高功率負(fù)載下的可靠��
  注意輸入和輸出電容的影響,以減少開關(guān)損耗和提高開關(guān)速度�

�(fā)展歷�

IRFZ48NPBF是一種N溝道MOSFET功率晶體�,是國際整流器公司(International Rectifier)開�(fā)的產(chǎn)�。以下是該產(chǎn)品的�(fā)展歷��
  20世紀(jì)60年代末至70年代�,隨著電子設(shè)備的迅速發(fā)�,功率晶體管的需求量不斷增加。然�,傳�(tǒng)的功率晶體管存在一些問題,如功耗高、體積大、效率低�。為了解決這些問題,研究人員開始探索新型的功率晶體管結(jié)�(gòu)�
  �1970年代�,MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)開始成為研究的熱�(diǎn)。MOSFET具有低功�、高效率和小尺寸等優(yōu)�(diǎn),因此被視為下一代功率晶體管的候選技�(shù)。然�,當(dāng)�(shí)的MOSFET在高功率�(yīng)用方面的性能表現(xiàn)不佳�
  �20世紀(jì)70年代中期,國際整流器公司開始研發(fā)新型的功率MOSFET,以提高其在高功率應(yīng)用中的性能。IRFZ48NPBF就是在這�(gè)�(shí)期開�(fā)出來的產(chǎn)品之一。它采用了N溝道�(jié)�(gòu),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度。此�,它還具有較高的功率密度和可靠��
  隨著技�(shù)的不斷�(jìn)�,IRFZ48NPBF�20世紀(jì)80年代�90年代得到了廣泛應(yīng)�。它被用于各種高功率�(yīng)�,如電源、電動機(jī)�(qū)�、電動汽車等。同�(shí),國際整流器公司還不斷改�(jìn)�(chǎn)品的性能和可靠�,推出了多�(gè)版本的IRFZ48NPBF�
  到了21世紀(jì),隨著半�(dǎo)體技�(shù)的�(jìn)一步發(fā)展,功率MOSFET的性能得到了大幅提�。新一代的功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通電�、更高的開關(guān)速度和更高的功率密度。然�,IRFZ48NPBF作為一種經(jīng)典的功率MOSFET仍被廣泛�(yīng)用于各種�(lǐng)��

irfz48npbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

irfz48npbf資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irfz48npbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C64A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫歐 @ 32A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs81nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1970pF @ 25V
  • 功率 - 最�130W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFZ48NPBF