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IRGIB15B60KD1P 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2023/3/9 14:11:15 查看 閱讀:320

    類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:IGBT - 單路

    系列:-

 

目錄

概述

    類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:IGBT - 單路

    系列:-

    IGBT 類(lèi)型:NPT

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V

    Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):2.2V @ 15V, 15A

    電流 - 集電極 (Ic)(最大):19A

    功率 - 最大:52W

    輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)型

    安裝類(lèi)型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 全封裝(直引線(xiàn))

    包裝:管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB 整包


資料

廠商
Infineon Technologies

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

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  • 型號(hào)
  • 描述
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irgib15b60kd1p參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類(lèi)型NPT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi))2.2V @ 15V,15A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)19A
  • 功率 - 最大52W
  • 輸入類(lèi)型標(biāo)準(zhǔn)型
  • 安裝類(lèi)型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB 整包
  • 包裝管件