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IRL1404PBF 發(fā)布時間 時間:2023/3/6 16:39:41 查看 閱讀:299

    類別:分離式半導體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

  

目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 毫歐 @ 95A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss):40V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:160A

    Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs:140nC @ 5V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :6590pF @ 25V

    功率 - 最大:200W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 (直引線)

    包裝:管件

    供應商設備封裝:TO-220AB

    其它名稱:*IRL1404PBF


資料

廠商
Infineon / IR

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irl1404pbf參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C160A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫歐 @ 95A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs140nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6590pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRL1404PBF