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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRL3102S

IRL3102S 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 8:51:49 查看 閱讀�24

IRL3102S 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它廣泛�(yīng)用于需要低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性的電路�,如電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)��
  該器件采用了PQFN5x6封裝,具有極小的體積和出色的散熱性能,適合高密度�(shè)�(jì)需�。其低導(dǎo)通電阻和�(yōu)化的柵極電荷使其在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

型號(hào):IRL3102S
  �(lèi)型:N溝道 MOSFET
  Vds(漏源極擊穿電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�2.5mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
  Id(連續(xù)漏極電流):97A
  Ptot(總功耗)�48W
  Vgs(柵源極電壓):±20V
  Qg(柵極電荷)�12nC
  f(工作頻率):高�(dá)MHz�(jí)�
  封裝形式:PQFN5x6

特�

IRL3102S具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低功率損�,提高效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于其較小的柵極電荷Qg�
  3. 采用先�(jìn)的PQFN5x6封裝技�(shù),具備較低的熱阻和電氣寄生參�(shù)�
  4. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C�+175°C�,確保了其在極端�(huán)境下的可靠��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  6. 高耐受�,支持大電流和瞬�(tài)電壓保護(hù)�
  這些特點(diǎn)使IRL3102S非常適合于高效能和緊湊型�(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

IRL3102S適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng),具體包括:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和降壓�(zhuǎn)��
  2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  3. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的電�(jī)控制和驅(qū)�(dòng)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換和功率分配�
  5. 電信�(shè)備中的電源管理和�(fù)載切��
  6. �(jì)算機(jī)及其外設(shè)中的高效電源解決方案�
  由于其優(yōu)異的性能和小型化�(shè)�(jì),IRL3102S成為眾多�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IRL3103S, IRL3104S

irl3102s推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irl3102s資料 更多>

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irl3102s參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C61A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫歐 @ 37A�7V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs58nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 15V
  • 功率 - 最�89W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝管件
  • 其它名稱(chēng)*IRL3102S