IRL3102S 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它廣泛�(yīng)用于需要低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性的電路�,如電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)��
該器件采用了PQFN5x6封裝,具有極小的體積和出色的散熱性能,適合高密度�(shè)�(jì)需�。其低導(dǎo)通電阻和�(yōu)化的柵極電荷使其在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
型號(hào):IRL3102S
�(lèi)型:N溝道 MOSFET
Vds(漏源極擊穿電壓):30V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�2.5mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
Id(連續(xù)漏極電流):97A
Ptot(總功耗)�48W
Vgs(柵源極電壓):±20V
Qg(柵極電荷)�12nC
f(工作頻率):高�(dá)MHz�(jí)�
封裝形式:PQFN5x6
IRL3102S具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低功率損�,提高效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于其較小的柵極電荷Qg�
3. 采用先�(jìn)的PQFN5x6封裝技�(shù),具備較低的熱阻和電氣寄生參�(shù)�
4. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C�+175°C�,確保了其在極端�(huán)境下的可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
6. 高耐受�,支持大電流和瞬�(tài)電壓保護(hù)�
這些特點(diǎn)使IRL3102S非常適合于高效能和緊湊型�(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��
IRL3102S適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng),具體包括:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和降壓�(zhuǎn)��
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
3. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的電�(jī)控制和驅(qū)�(dòng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換和功率分配�
5. 電信�(shè)備中的電源管理和�(fù)載切��
6. �(jì)算機(jī)及其外設(shè)中的高效電源解決方案�
由于其優(yōu)異的性能和小型化�(shè)�(jì),IRL3102S成為眾多�(yīng)用的理想選擇�
IRL3103S, IRL3104S