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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRL40T209

IRL40T209 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 11:26:35 查看 閱讀�15

IRL40T209是一款N溝道功率MOSFET,由Vishay生產(chǎn)。該器件采用TO-263封裝形式,適用于高效率開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。這款MOSFET以其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性而聞�,非常適合需要高性能和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)��
  IRL40T209在設(shè)�(jì)上針�(duì)高頻�(yīng)用�(jìn)行了�(yōu)化,能夠提供較低的柵極電荷和輸出電容,從而減少開�(guān)損耗并提高整體效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  最大連續(xù)漏電流:18A
  最大脈沖漏電流�36A
  典型�(dǎo)通電阻(Rds(on)):7.5mΩ
  柵極電荷�28nC
  輸入電容�1550pF
  總電容:1800pF
  工作溫度范圍�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-263

特�

IRL40T209具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,確保在高電流條件下降低功率損耗�
  2. 高效的開�(guān)性能,得益于其低柵極電荷和快速開�(guān)速度�
  3. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
  4. 適用于高頻開�(guān)�(yīng)�,可有效減少開關(guān)損��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備的�(shè)�(jì)要求�
  6. 可靠性高,能夠在惡劣的工作條件下�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)��

�(yīng)�

IRL40T209廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  3. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中的功率管理�
  5. 通信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的各種功率控制�(yīng)��
  由于其出色的電氣特性和可靠�,這款MOSFET特別適合需要高效率和低功耗的�(chǎng)��

替代型號(hào)

IRLZ44N, IRL540N

irl40t209推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)