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IRL8113PBF 發(fā)布時間 時間：2023/3/6 16:26:54 查看 閱讀：678

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：HEXFET?



目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：HEXFET?

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點(diǎn)：邏輯電平門

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 毫歐 @ 21A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：30V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：105A

    Id 時的 Vgs(th)（最大）：2.25V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 4.5V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：2840pF @ 15V

    功率 - 最大：110W

    安裝類型：通孔

    封裝/外殼：TO-220-3 (直引線)

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB

    其它名稱：*IRL8113PBF



資料

廠商
Infineon Technologies

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irl8113pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C105A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6 毫歐 @ 21A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）2.25V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs35nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2840pF @ 15V
  • 功率 - 最大110W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRL8113PBF