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IRLB3036PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/6 16:26:04 查看 閱讀：674

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：HEXFET?

   

目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：HEXFET?

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點(diǎn)：邏輯電平門

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.4 毫歐 @ 165A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：60V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：195A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：140nC @ 4.5V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：11210pF @ 50V

    功率 - 最大：380W

    安裝類型：通孔

    封裝/外殼：TO-220-3 (直引線)

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB


資料

廠商
Infineon / IR

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irlb3036pbf參數(shù)

  • 特色產(chǎn)品HEXFET? Power MOSFETs
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C195A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C2.4 毫歐 @ 165A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs140nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds11210pF @ 50V
  • 功率 - 最大380W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件