類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:-
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:400 毫歐 @ 3.7A, 5V
漏極至源極電壓(Vdss):200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:6.2A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs:40nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :1100pF @ 25V
功率 - 最大:35W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 全封裝(直引線,隔離式),ITO-220AB
包裝:管件
供應(yīng)商設(shè)備封裝:*
其它名稱:*IRLI630GPBF
廠商 |
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VISHAY |
Vishay Semiconductors |