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IRLIZ14GPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/6 15:55:32 查看 閱讀：539

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

 

目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點(diǎn)：邏輯電平門

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫歐 @ 4.8A, 5V

    漏極至源極電壓(Vdss)：60V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：8A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：8.4nC @ 5V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：400pF @ 25V

    功率 - 最大：27W

    安裝類型：通孔

    封裝/外殼：TO-220-3 全封裝（直引線，隔離式），ITO-220AB

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：*

    其它名稱：*IRLIZ14GPBF


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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irliz14gpbf參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IRLIZ14GPBF
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C200 毫歐 @ 4.8A，5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs8.4nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
  • 功率 - 最大27W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 全封裝，隔離接片
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRLIZ14GPBF