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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRLML2502TRPBF

IRLML2502TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/11 16:07:10 查看 閱讀�324

IRLML2502TRPBF是一種N溝道MOSFET,其封裝為SOT-23,可承受250V的電壓和4.2A的電�。該器件采用了先�(jìn)的銀溝道技�(shù),能夠提供較低的�(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)�(guān)特�。其低漏電流和快速開(kāi)�(guān)速度使其適用于多種應(yīng)�,例如電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和照明控制等�(lǐng)��
  IRLML2502TRPBF具有良好的溫度特�,可以在-55℃至150℃的范圍�(nèi)工作。它還具有較小的封裝尺寸和重�,可以在有限的空間內(nèi)輕松安裝。該器件還具有防靜電能力,可保護(hù)電路免受靜電放電的損��
  IRLML2502TRPBF的主要特�(diǎn)包括�
  1、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度�
  2、能夠承�250V的電壓和4.2A的電��
  3、良好的溫度特性,可在-55℃至150℃的范圍�(nèi)工作�
  4、小封裝尺寸和重��
  5、防靜電能力�
  總之,IRLML2502TRPBF是一種高性能的N溝道MOSFET,可適用于多種應(yīng)用。它在電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和照明控制等�(lǐng)域有廣泛的應(yīng)��

參數(shù)和指�(biāo)

IRLML2502TRPBF的主要參�(shù)和指�(biāo)如下�
  1、最大漏極電壓:20V
  2、最大漏極電流:4.2A
  3、最大功率耗散�1.7W
  4、導(dǎo)通電阻:22mΩ
  5、開(kāi)啟電壓:1.1V
  6、開(kāi)�(guān)�(shí)間:6ns
  7、典型電容:760pF

組成�(jié)�(gòu)

IRLML2502TRPBF采用了N溝道MOSFET的結(jié)�(gòu),其主要組成部分包括漏極、柵極和源極。漏極和源極之間形成一�(gè)N型導(dǎo)電層,柵極與�(dǎo)電層之間通過(guò)一層絕緣材料隔�(kāi)�

工作原理

IRLML2502TRPBF的工作原理基于N溝道MOSFET的基本原�。當(dāng)柵極與源極之間施加正電壓�(shí),柵極下方的N型導(dǎo)電層中的電子被吸引到柵極表面,形成一�(gè)電子云。這�(gè)電子云形成的電場(chǎng)�(huì)使導(dǎo)電層中的電子向漏極方向流�(dòng),從而形成通路�
  �(dāng)柵極施加�(fù)電壓�(shí),電子云被驅(qū)散,�(dǎo)電層中的電子不再受到電場(chǎng)的引�(dǎo),通路被切�,形成斷路狀�(tài)。通過(guò)控制柵極電壓的變�,可以實(shí)�(xiàn)MOSFET的開(kāi)�(guān)控制�

技�(shù)要點(diǎn)

IRLML2502TRPBF的技�(shù)要點(diǎn)主要包括�
  1、采用N溝道MOSFET�(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度、低�(kāi)啟電壓和低漏電流等特�(diǎn)�
  2、采用SOT-23封裝,體積小、重量輕,適用于高密度PCB布局�
  3、適用于低電壓驅(qū)�(dòng)�(yīng)�,如電池管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)��

�(shè)�(jì)流程

IRLML2502TRPBF的設(shè)�(jì)流程主要包括�
  1、確定應(yīng)用要�,包括電壓、電�、功率和�(kāi)�(guān)頻率等參�(shù)�
  2、選擇適�(dāng)?shù)腗OSFET,考慮其導(dǎo)通電�、開(kāi)啟電�、開(kāi)�(guān)速度和耗散功率等指�(biāo)�
  3、�(jìn)行電路仿真和�(yōu)�,評(píng)估系�(tǒng)性能和可靠��
  4、�(jìn)行PCB�(shè)�(jì)和布局,注意保證信�(hào)完整性和電磁兼容��
  5、確�(rèn)�(shè)�(jì)完成�,�(jìn)行生�(chǎn)制造和�(cè)試�

常見(jiàn)故障和預(yù)防措�

IRLML2502TRPBF的常�(jiàn)故障主要包括�
  1、漏電流�(guò)�,導(dǎo)致溫度升高;
  2、導(dǎo)通電阻不�(wěn)�,影響系�(tǒng)的輸出穩(wěn)定��
  3、開(kāi)啟電壓過(guò)高,�(dǎo)致MOSFET�(wú)法開(kāi)��
  為了�(yù)防這些故障,可以采取以下措施:
  1、選擇合適的散熱器,降低溫度�
  2、優(yōu)化PCB布局,減少電磁干��
  3、選擇質(zhì)量可靠的MOSFET,避免參�(shù)不穩(wěn)定;
  4、控制開(kāi)�(guān)頻率和電壓,避免MOSFET�(guò)��

irlml2502trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irlml2502trpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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irlml2502trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.2A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫歐 @ 4.2A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds740pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.25W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Micro3?/SOT-23
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IRLML2502PBFTR