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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IRLML6346TRPBF

IRLML6346TRPBF 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 12:36:17 查看 閱讀�9

IRLML6346TRPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生產的 N 沃特 (N-Channel) 增強型功� MOSFET。該器件采用邏輯電平驅動設計,適用于低電壓應用場�,具有低導通電阻和快速開關速度的特點�
  這款 MOSFET 通常用于需要高效率和緊湊設計的場景,例如便攜式設備、電池管理系�(tǒng)、負載切換以� DC-DC 轉換器等�

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  連續(xù)漏極電流�3.7A
  導通電阻(典型�,在 Vgs=10V 時)�9mΩ
  柵極-源極開啟電壓�1.8V
  最大功耗:570mW
  結溫范圍�-55� � +150�
  封裝形式:SOIC-8

特�

IRLML6346TRPBF 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電�,能夠有效降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 支持低至 1.8V 的柵極驅動電�,非常適合使用單節(jié)鋰電池供電的應用�
  3. 快速開關性能,有助于減少開關損��
  4. 小尺� SOIC-8 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  5. 高可靠性設�,能夠在較寬的溫度范圍內�(wěn)定工作�

應用

IRLML6346TRPBF 廣泛應用于以下領域:
  1. 便攜式電子設備中的負載切換和電源管理�
  2. DC-DC 轉換器及同步整流電路�
  3. 電池保護和管理系�(tǒng)�
  4. 小功率電機驅動和控制�
  5. 開關模式電源(SMPS)中的初級或次級側開關元��
  由于其低導通電阻和低驅動電壓需�,該器件特別適合在電池供電的設備中使�,以延長電池壽命并提高整體效率�

替代型號

IRLML6344TRPBF, IRLML6345TRPBF

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irlml6346trpbf參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C63 毫歐 @ 3.4A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 10µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs2.9nc @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds270pF @ 24V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRLML6346TRPBFTR