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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRLR024NTRPBF

IRLR024NTRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 16:06:45 查看 閱讀�25

IRLR024NTRPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 灃道� 金屬氧化物半�(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件采用了邏輯電平柵極驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),適合低電壓�(yīng)用場(chǎng)合。其封裝形式� TO-252 (DPAK),具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,廣泛應(yīng)用于高效能電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及便攜式電子設(shè)備等�(lǐng)域�
  這款 MOSFET 的額定電壓為 30V,能夠承受較高的電流�(fù)載,并且具備良好的熱性能,有助于提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�98A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6mΩ(典型�,當(dāng) Vgs=10V �(shí)�
  柵極閾值電壓:1V � 2V
  總功耗:42W
  工作溫度范圍�-55°C � 175°C
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  存儲(chǔ)溫度范圍�-65°C � 150°C

特�

IRLR024NTRPBF 具有非常低的�(dǎo)通電阻,這使得它在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)降低了功率損��
  其邏輯電平兼容的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)�(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì),允許直接從微控制器或邏輯芯片驅(qū)�(dòng)�
  該器件還具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下正常工��
  此外,快速開(kāi)�(guān)速度減少了開(kāi)�(guān)損�,�(jìn)一步提高了整體效率�
  通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),IRLR024NTRPBF 提供了良好的散熱性能,非常適合需要緊湊型解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

IRLR024NTRPBF 主要用于直流-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載切�、電�(jī)控制、電池保�(hù)等應(yīng)用�
  在消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,如筆記本電腦適配器、智能手�(jī)充電器以及平板電腦中,這款 MOSFET 可以提供高效的電源管理方��
  工業(yè)�(lǐng)域方面,它可以應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變�、不間斷電源(UPS)、電�(dòng)工具以及其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的設(shè)��
  汽車電子中,此器件也適用于各類車身控制系�(tǒng)、LED 照明�(qū)�(dòng)及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRLR024GTRPBF, IRLR024NPbF

irlr024ntrpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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irlr024ntrpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds480pF @ 25V
  • 功率 - 最�45W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRLR024NPBFTR