IRLR024NTRPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 灃道� 金屬氧化物半�(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件采用了邏輯電平柵極驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),適合低電壓�(yīng)用場(chǎng)合。其封裝形式� TO-252 (DPAK),具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,廣泛應(yīng)用于高效能電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及便攜式電子設(shè)備等�(lǐng)域�
這款 MOSFET 的額定電壓為 30V,能夠承受較高的電流�(fù)載,并且具備良好的熱性能,有助于提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�98A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6mΩ(典型�,當(dāng) Vgs=10V �(shí)�
柵極閾值電壓:1V � 2V
總功耗:42W
工作溫度范圍�-55°C � 175°C
封裝類型:TO-252 (DPAK)
存儲(chǔ)溫度范圍�-65°C � 150°C
IRLR024NTRPBF 具有非常低的�(dǎo)通電阻,這使得它在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)降低了功率損��
其邏輯電平兼容的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)�(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì),允許直接從微控制器或邏輯芯片驅(qū)�(dòng)�
該器件還具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下正常工��
此外,快速開(kāi)�(guān)速度減少了開(kāi)�(guān)損�,�(jìn)一步提高了整體效率�
通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),IRLR024NTRPBF 提供了良好的散熱性能,非常適合需要緊湊型解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��
IRLR024NTRPBF 主要用于直流-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載切�、電�(jī)控制、電池保�(hù)等應(yīng)用�
在消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,如筆記本電腦適配器、智能手�(jī)充電器以及平板電腦中,這款 MOSFET 可以提供高效的電源管理方��
工業(yè)�(lǐng)域方面,它可以應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變�、不間斷電源(UPS)、電�(dòng)工具以及其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的設(shè)��
汽車電子中,此器件也適用于各類車身控制系�(tǒng)、LED 照明�(qū)�(dòng)及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
IRLR024GTRPBF, IRLR024NPbF