類別:分離式半導體產�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
類別:分離式半導體產�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�4.3 毫歐 @ 110A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�180A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.5V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�130nC @ 4.5V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �11360pF @ 50V
功率 - 最大:370W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3(直引線�
包裝:管�
供應商設備封裝:TO-262
廠商 |
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Infineon Technologies |