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IRLSL4030PBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/6 15:48:22 查看 閱讀�350

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

 

目錄

概述

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:邏輯電平門

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�4.3 毫歐 @ 110A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�100V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�180A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.5V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�130nC @ 4.5V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �11360pF @ 50V

    功率 - 最大:370W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-262-3(直引線�

    包裝:管�

    供應商設備封裝:TO-262



資料

廠商
Infineon Technologies

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irlsl4030pbf參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C180A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.3 毫歐 @ 110A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs130nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds11360pF @ 50V
  • 功率 - 最�370W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
  • 供應商設備封�TO-262
  • 包裝管件