IRLTS6342是由英飛凌(Infineon)推出的邏輯電平增強(qiáng)型N溝道功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于低電壓和高效率的�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他功率控制電路。該器件采用TO-252 (DPAK)封裝形式,具備出色的�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能,特別適合需要高效能和小型化�(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��
這款MOSFET具有較低的柵極電荷和輸出電容,能夠有效降低開(kāi)�(guān)損耗并提高整體效率。此�,其邏輯電平�(qū)�(dòng)特性允許直接與大多�(shù)微控制器或數(shù)字信�(hào)處理器配合使�,而無(wú)需額外的柵極驅(qū)�(dòng)電路�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):9mΩ
柵極閾值電壓:1.9V
最大工作結(jié)溫:175�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
IRLTS6342的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高效�。在10V的Vgs�,其�(dǎo)通電阻僅�9mΩ,這使得它非常適合低功耗應(yīng)用。同�(shí),它的柵極電荷較�,有助于減少�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損耗�
另外,該器件能夠在較低的柵極�(qū)�(dòng)電壓下實(shí)�(xiàn)完全�(kāi)�,如�4.5V�(shí)即可�(dá)到標(biāo)�(chēng)的導(dǎo)通電阻性能,因此非常適用于電池供電系統(tǒng)或便攜式�(shè)��
其最高工作溫度可�(dá)175�,確保了在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠�。此外,IRLTS6342還采用了�(wú)鉛封�,符合環(huán)保標(biāo)�(zhǔn),并支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和組��
IRLTS6342通常用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 通信和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)�
5. 汽車(chē)電子中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路
由于其出色的電氣性能和耐用性,這款MOSFET成為許多�(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇�
IRLZ44N, AO3400A, FDP5580