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IRLTS6342 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/30 16:39:35 查看 閱讀:28

IRLTS6342是由英飛凌(Infineon)推出的邏輯電平增強(qiáng)型N溝道功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于低電壓和高效率的開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他功率控制電路。該器件采用TO-252 (DPAK)封裝形式,具備出色的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)性能,特別適合需要高效能和小型化設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。
  這款MOSFET具有較低的柵極電荷和輸出電容,能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗并提高整體效率。此外,其邏輯電平驅(qū)動(dòng)特性允許直接與大多數(shù)微控制器或數(shù)字信號(hào)處理器配合使用,而無(wú)需額外的柵極驅(qū)動(dòng)電路。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:18A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):9mΩ
  柵極閾值電壓:1.9V
  最大工作結(jié)溫:175℃
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特性

IRLTS6342的主要特點(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高效率。在10V的Vgs下,其導(dǎo)通電阻僅為9mΩ,這使得它非常適合低功耗應(yīng)用。同時(shí),它的柵極電荷較小,有助于減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗。
  另外,該器件能夠在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)完全開(kāi)啟,如在4.5V時(shí)即可達(dá)到標(biāo)稱(chēng)的導(dǎo)通電阻性能,因此非常適用于電池供電系統(tǒng)或便攜式設(shè)備。
  其最高工作溫度可達(dá)175℃,確保了在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。此外,IRLTS6342還采用了無(wú)鉛封裝,符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),并支持表面貼裝技術(shù)(SMT),便于自動(dòng)化生產(chǎn)和組裝。

應(yīng)用

IRLTS6342通常用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  4. 通信和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品
  5. 汽車(chē)電子中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路
  由于其出色的電氣性能和耐用性,這款MOSFET成為許多現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。

替代型號(hào)

IRLZ44N, AO3400A, FDP5580

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