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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRLTS6342TRPBF

IRLTS6342TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 8:54:11 查看 閱讀�22

IRLTS6342TRPBF是來自英飛凌(Infineon)的N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET,采用TOLT封裝。這款器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合用于高頻、高效能的應(yīng)用場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)使得它能夠在較低的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下工�,從而簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并提高了效率�
  該型�(hào)廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)控制、消�(fèi)類電子設(shè)備以及通信系統(tǒng)等領(lǐng)�,是一款性能卓越的功率MOSFET�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大連續(xù)漏電流:71A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(典型�,在Vgs=10V�(shí)):2.8mΩ
  柵極電荷(典型值)�95nC
  輸入電容(典型值)�1650pF
  總功耗:125W
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

IRLTS6342TRPBF具備超低�(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損耗,同時(shí)它的快速開�(guān)速度也有助于減少開關(guān)損�。此外,該器件支持較低的柵極�(qū)�(dòng)電壓(如4.5V或更低),兼容現(xiàn)代微控制器和�(shù)字邏輯電路輸�,無需額外的驅(qū)�(dòng)電路�
  由于采用了先�(jìn)的制造工藝,這款MOSFET還擁有出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,適合長(zhǎng)�(shí)間在高負(fù)載條件下�(yùn)行。另�,其短路耐受能力較強(qiáng),增�(qiáng)了系�(tǒng)的整體魯棒性�
  TOLT封裝形式�(jìn)一步優(yōu)化了散熱性能,使其能夠應(yīng)�(duì)更高功率密度的設(shè)�(jì)需��

�(yīng)�

該型�(hào)適用于各種需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器
  3. 電池管理系統(tǒng)
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模�
  7. LED�(qū)�(dòng)電路
  8. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的電源解決方�

替代型號(hào)

IRLB8721PBF, IRLZ44N, FDP5500BL

irlts6342trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irlts6342trpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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irlts6342trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫歐 @ 8.3A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.1V @ 10µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1010pF @ 25V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-LSOP�0.063"�1.60mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRLTS6342TRPBFTR