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IRLTS6342TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/13 8:54:11 查看 閱讀：22

IRLTS6342TRPBF是來自英飛凌（Infineon）的N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET，采用TOLT封裝。這款器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，非常適合用于高頻、高效能的應(yīng)用場(chǎng)景。其設(shè)計(jì)使得它能夠在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下工作，從而簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)并提高了效率。
　　該型號(hào)廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)控制、消費(fèi)類電子設(shè)備以及通信系統(tǒng)等領(lǐng)域，是一款性能卓越的功率MOSFET。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　最大連續(xù)漏電流：71A
　　最大柵源電壓：±20V
　　導(dǎo)通電阻（典型值，在Vgs=10V時(shí)）：2.8mΩ
　　柵極電荷（典型值）：95nC
　　輸入電容（典型值）：1650pF
　　總功耗：125W
　　工作溫度范圍：-55℃ to +175℃

特性

IRLTS6342TRPBF具備超低導(dǎo)通電阻，可顯著降低傳導(dǎo)損耗，同時(shí)它的快速開關(guān)速度也有助于減少開關(guān)損耗。此外，該器件支持較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓（如4.5V或更低），兼容現(xiàn)代微控制器和數(shù)字邏輯電路輸出，無需額外的驅(qū)動(dòng)電路。
　　由于采用了先進(jìn)的制造工藝，這款MOSFET還擁有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合長(zhǎng)時(shí)間在高負(fù)載條件下運(yùn)行。另外，其短路耐受能力較強(qiáng)，增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體魯棒性。
　　TOLT封裝形式進(jìn)一步優(yōu)化了散熱性能，使其能夠應(yīng)對(duì)更高功率密度的設(shè)計(jì)需求。

應(yīng)用

該型號(hào)適用于各種需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）
　　2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器
　　3. 電池管理系統(tǒng)
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
　　5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊
　　7. LED驅(qū)動(dòng)電路
　　8. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的電源解決方案

替代型號(hào)

IRLB8721PBF, IRLZ44N, FDP5500BL

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irlts6342trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.3A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫歐 @ 8.3A，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1.1V @ 10µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1010pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRLTS6342TRPBFTR