IRLTS6342TRPBF是來自英飛凌(Infineon)的N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET,采用TOLT封裝。這款器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合用于高頻、高效能的應(yīng)用場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)使得它能夠在較低的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下工�,從而簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并提高了效率�
該型�(hào)廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)控制、消�(fèi)類電子設(shè)備以及通信系統(tǒng)等領(lǐng)�,是一款性能卓越的功率MOSFET�
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏電流:71A
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(典型�,在Vgs=10V�(shí)):2.8mΩ
柵極電荷(典型值)�95nC
輸入電容(典型值)�1650pF
總功耗:125W
工作溫度范圍�-55� to +175�
IRLTS6342TRPBF具備超低�(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損耗,同時(shí)它的快速開�(guān)速度也有助于減少開關(guān)損�。此外,該器件支持較低的柵極�(qū)�(dòng)電壓(如4.5V或更低),兼容現(xiàn)代微控制器和�(shù)字邏輯電路輸�,無需額外的驅(qū)�(dòng)電路�
由于采用了先�(jìn)的制造工藝,這款MOSFET還擁有出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,適合長(zhǎng)�(shí)間在高負(fù)載條件下�(yùn)行。另�,其短路耐受能力較強(qiáng),增�(qiáng)了系�(tǒng)的整體魯棒性�
TOLT封裝形式�(jìn)一步優(yōu)化了散熱性能,使其能夠應(yīng)�(duì)更高功率密度的設(shè)�(jì)需��
該型�(hào)適用于各種需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模�
7. LED�(qū)�(dòng)電路
8. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的電源解決方�
IRLB8721PBF, IRLZ44N, FDP5500BL