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IRLZ14PBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2023/3/6 15:41:44 查看 閱讀:428

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:-

    

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 單

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):邏輯電平門

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:200 毫歐 @ 6A, 5V

    漏極至源極電壓(Vdss):60V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:10A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):2V @ 250?A

    閘電荷(Qg) @ Vgs:8.4nC @ 5V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :400pF @ 25V

    功率 - 最大:43W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 (直引線)

    包裝:管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*

    其它名稱:*IRLZ14PBF


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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  • 詢價(jià)

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irlz14pbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫歐 @ 6A,5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs8.4nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
  • 功率 - 最大43W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRLZ14PBF