時(shí)間：2023/3/6 15:41:44
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類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：MOSFET，GaNFET - 單
系列：-
類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：MOSFET，GaNFET - 單
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫歐 @ 6A, 5V
漏極至源極電壓(Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：10A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250?A
閘電荷(Qg) @ Vgs：8.4nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：400pF @ 25V
功率 - 最大：43W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 (直引線)
包裝：管件
供應(yīng)商設(shè)備封裝：*
其它名稱：*IRLZ14PBF
| 廠商 |
|---|
| VISHAY |
| Vishay Semiconductors |
