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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IS43DR16640C-25DBLI

IS43DR16640C-25DBLI 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 10:58:54 查看 閱讀�23

IS43DR16640C-25DBLI 是一種高�、低功耗的 DDR3L SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory�,采用先�(jìn)的存儲技�(shù)�(shè)�(jì),支持高效的�(shù)�(jù)處理和傳輸。該芯片通常用于需要高性能�(nèi)存的�(yīng)用場�,例如網(wǎng)�(luò)�(shè)�、工�(yè)控制、嵌入式系統(tǒng)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)��
  DDR3L(Low Voltage)代表其工作電壓較低,通常� 1.35V,相比傳�(tǒng)� DDR3 芯片具有更低的功耗特�。這款芯片擁有 16Gb 的存儲容量,并且通過�(yōu)化的架構(gòu)�(shè)�(jì)能夠提供高帶寬和低延遲的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

容量�16 Gb
  組織方式�1Gb x 8 / 512Mb x 16
  核心電壓(Vdd/Vddq)�1.35V
  �(shù)�(jù)寬度:x8/x16
  速度等級�1600Mbps
  封裝類型:FBGA
  引腳�(shù)�96
  工作溫度范圍�-40°C ~ +85°C
  刷新模式:自動刷新、自刷新
  突發(fā)長度�4/8

特�

IS43DR16640C-25DBLI 提供了多種先�(jìn)的功能和特�,以滿足�(xiàn)代電子設(shè)備的需求:
  1. 支持高達(dá) 1600Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,確??焖俚臄?shù)�(jù)交換能力�
  2. �(nèi)� DLL(延遲鎖定環(huán)路),可�(shí)�(xiàn)精確的時鐘對�,減少信號偏差�
  3. 具備節(jié)能模�,如深度掉電模式 (Deep Power Down),在不需要高頻訪問時�(jìn)一步降低功��
  4. 支持 CAS Latency(CL)設(shè)置,可根�(jù)具體�(yīng)用需求調(diào)節(jié)延遲值以�(yōu)化性能�
  5. 工作溫度范圍�,適合工�(yè)級和商業(yè)級環(huán)境使��
  6. 高可靠性設(shè)�(jì),適用于長時間運(yùn)行的�(guān)鍵任�(wù)�(yīng)用�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,例如路由器、交換機(jī)�,用于緩存臨時數(shù)�(jù)以提升傳輸效率�
  2. 嵌入式系�(tǒng)中作為主處理器的外部存儲器擴(kuò)�,提供充足的�(yùn)行空��
  3. 工業(yè)自動化控制器,用于實(shí)時數(shù)�(jù)采集與處��
  4. �(yī)療儀器和其他需要大容量、高性能存儲解決方案的設(shè)��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如�(shù)字電視、機(jī)頂盒�,用于提高用戶體�(yàn)和流暢度�

替代型號

IS43TR16640C-25BLLI,5DBLI

is43dr16640c-25dbli推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

is43dr16640c-25dbli�(chǎn)�

is43dr16640c-25dbli參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,038�(xiàn)�
  • 價格1 : �53.34000托盤
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 存儲器類�易失
  • 存儲器格�DRAM
  • 技�(shù)SDRAM - DDR2
  • 存儲容量1Gb
  • 存儲器組�64M x 16
  • 存儲器接�并聯(lián)
  • 時鐘頻率400 MHz
  • 寫周期時� - �,頁15ns
  • 訪問時間400 ps
  • 電壓 - 供電1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C(TA�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼84-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�84-TWBGA�8x12.5�