IS43TR16512B-125KBLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)推出的高性能 DDR3L SDRAM 芯片,主要面向消費電�、工�(yè)控制、通信�(shè)備和嵌入式系�(tǒng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用先進的工藝制�,具有低功耗和高穩(wěn)定性的特點,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對�(nèi)存性能的嚴苛要��
這款 DDR3L �(nèi)存芯片具� 16Gb 的存儲容量(2Gx8 組織�,并支持 800 Mbps � 1066 Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率。其低電壓設(shè)計(1.35V 核心供電)進一步降低了能�,非常適合需要長時間運行或電池供電的�(yīng)用場景�
類型:DDR3L SDRAM
容量�16 Gb (2G x 8)
位寬�8�
速度�800/1066 Mbps
核心電壓�1.35V
I/O 電壓�1.5V
封裝:BGA 256 �
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
引腳間距�1.0mm
�(shù)�(jù)寬度:x8
IS43TR16512B-125KBLI 具備多種先進特�,包括但不限于以下幾點:
1. 支持 ECC(糾錯碼)功�,可顯著提高�(shù)�(jù)傳輸?shù)目煽啃浴?br> 2. 配備 On-Die Termination(ODT)功能,�(yōu)化信號完整�,尤其是在高速數(shù)�(jù)傳輸��
3. 采用 Burst Length � 8 的突�(fā)模式,提升數(shù)�(jù)吞吐��
4. 提供自動刷新和自刷新功能,確保在低功耗模式下�(shù)�(jù)保持完整�
5. 支持 CAS Latency(CL)值為 6 � 7,以適配不同的系�(tǒng)需��
6. 工作溫度范圍�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
這些特性使� IS43TR16512B-125KBLI 成為一種高�、可靠的存儲解決方案,廣泛適用于需要大容量、高速度和低功耗的場合�
IS43TR16512B-125KBLI 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費電子�(chǎn)品:如智能電�、機頂盒和多媒體播放器等,提供高�(zhì)量的視頻和音頻處理能��
2. 嵌入式系�(tǒng):例如工�(yè)控制�、醫(yī)療設(shè)備和車載信息系統(tǒng),確保實時性和�(wěn)定��
3. 通信�(shè)備:如路由器、交換機和基�,支持高帶寬的數(shù)�(jù)傳輸�
4. 物聯(lián)�(wǎng)終端:用于邊緣計算設(shè)備,提供足夠的內(nèi)存支持復(fù)雜算法和大數(shù)�(jù)處理�
5. 游戲�(shè)備:支持圖形密集型應(yīng)�,提升用戶體��
憑借其卓越的性能和可靠�,IS43TR16512B-125KBLI 在上述應(yīng)用中表現(xiàn)出色,成為眾多設(shè)計工程師的理想選��
IS43TR16512B-125ABLI
IS43TR16512B-125KBL
IS43TR16512B-125AB