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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IS43TR16640B-15GBLI

IS43TR16640B-15GBLI 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 10:58:38 查看 閱讀�18

IS43TR16640B-15GBLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)的高�、低功� DDR3 SDRAM 芯片。該芯片具有大容量存�(chǔ)和高性能�(shù)�(jù)傳輸能力,適用于需要高帶寬和低延遲的應(yīng)用場(chǎng)��
  DDR3 技�(shù)允許更高的時(shí)鐘頻率和更快的數(shù)�(jù)訪問(wèn)速度,同�(shí)通過(guò)降低工作電壓減少功�。該型號(hào)采用 16M x 64 的存�(chǔ)�(jié)�(gòu),提供高�(dá) 16Gb 的存�(chǔ)容量�

參數(shù)

�(lèi)型:SDRAM
  接口:DDR3
  容量�16Gb
  組織�(jié)�(gòu)�16M x 64
  核心電壓�1.35V
  I/O 電壓�1.35V
  �(shù)�(jù)速率�1600Mbps
  封裝形式:BGA
  引腳�(shù)�256
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

IS43TR16640B-15GBLI 支持 DDR3 �(biāo)�(zhǔn)的特�,例� 8n-prefetch 架構(gòu)、內(nèi)� DLL(延遲鎖定環(huán)路)、ODT(板載終端電阻)等功��
  它還支持 CAS �(jí)�(lián)模式�?xún)?yōu)化讀取操�,并且具備自�(dòng)刷新和自刷新功能,能夠在不活躍的狀�(tài)下保�?jǐn)?shù)�(jù)完整��
  此外,這款芯片在設(shè)�(jì)上注重低功�,支持多種省電模式,例如深度電源下降模式 (DPD),可以在待機(jī)�(shí)�(jìn)一步降低功��
  該芯片適合長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng),其可靠性和�(wěn)定性使其成為網(wǎng)�(luò)�(shè)�、服�(wù)器和工業(yè)控制�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

IS43TR16640B-15GBLI 廣泛�(yīng)用于�(duì)性能要求較高的領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)采集與處��
  2. 通信�(shè)備如路由�、交換機(jī)和基站中的緩存存�(chǔ)�
  3. 企業(yè)�(jí)服務(wù)器和存儲(chǔ)解決方案中的臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
  4. 嵌入式系�(tǒng)中用于運(yùn)行復(fù)雜算法或圖像處理任務(wù)�
  由于其高可靠性和大容�,這款芯片能夠�(mǎn)足需要快速數(shù)�(jù)交換和高效存�(chǔ)管理的多樣化需��

替代型號(hào)

IS43TR16640B-12GABI
  IS43TR16640B-15GCBI

is43tr16640b-15gbli推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

is43tr16640b-15gbli參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝托盤(pán)
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 存儲(chǔ)器類(lèi)�易失
  • 存儲(chǔ)器格�DRAM
  • 技�(shù)SDRAM - DDR3
  • 存儲(chǔ)容量1Gb
  • 存儲(chǔ)器組�64M x 16
  • 存儲(chǔ)器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�667 MHz
  • �(xiě)周期�(shí)� - �,頁(yè)15ns
  • 訪問(wèn)�(shí)�20 ns
  • 電壓 - 供電1.425V ~ 1.575V
  • 工作溫度-40°C ~ 95°C(TC�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 封裝/外殼96-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�96-TWBGA�9x13�