IS61C25616AL-10TLI 是一款高速靜�(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM),� ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生�(chǎn)。該器件采用 CMOS 工藝制�,具有低功耗和高可靠性的特點(diǎn)。它提供 2M x 8 的存儲容�,即�?cè)萘繛?2Mb�256K x 8 組織�。此芯片支持快速訪問時(shí)間,并廣泛應(yīng)用于需要高性能�(shù)�(jù)緩存、通信�(shè)�、網(wǎng)�(luò)�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)��
� SRAM 具有單一電源供電,工作電壓為 3.3V � 5V(具體取決于系列版本),并且采用� TSOP II 封裝形式,適合在緊湊型設(shè)�(jì)中使��
存儲容量�2Mb (256K x 8)
訪問�(shí)間:10ns
電源電壓�3.3V � 5V
封裝形式:TSOP II
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
I/O 電壓�3.3V � 5V
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:無限期(在有效電源范圍內(nèi)�
引腳�(shù)量:44
IS61C25616AL-10TLI 提供卓越的性能表現(xiàn),其主要特性如下:
1. 高速訪問時(shí)間:該芯片具� 10ns 的典型訪問時(shí)間,能夠滿足高性能系統(tǒng)對快速數(shù)�(jù)讀寫的�(yán)格要��
2. 低功耗設(shè)�(jì):CMOS 工藝確保了芯片在�(yùn)行過程中消耗較少的功率,非常適合對功耗敏感的�(yīng)用場��
3. 簡單接口邏輯:無需�(fù)雜的�(shí)序控制即可實(shí)�(xiàn)�(wěn)定的�(shù)�(jù)存取操作,簡化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)過程�
4. 寬工作溫度范圍:支持工業(yè)級溫度范圍(-40°C � +85°C�,增�(qiáng)了其在惡劣環(huán)境下的適�(yīng)能力�
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的測試與篩選流�,確保長期使用的�(wěn)定��
這款 SRAM 芯片適用于多種高性能�(jì)算和嵌入式系�(tǒng)�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
1. �(shù)�(jù)緩存:用作處理器或其他核心組件的外部緩存,以提高整體系統(tǒng)性能�
2. 工業(yè)自動(dòng)化:在工�(yè)控制�(shè)備中作為臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲單元,例� PLC � CNC �(jī)床中的程序存儲�
3. 通信�(shè)備:在網(wǎng)�(luò)路由�、交換機(jī)等通信�(shè)備中,用于暫存數(shù)�(jù)包或配置信息�
4. �(yī)療設(shè)備:如超聲波成像儀或心電圖�(shè)備中的圖像處理部分,提供快速數(shù)�(jù)緩沖功能�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品設(shè)備中也可能采用此� SRAM 芯片�
IS61LV25616A-10BLL, AS6C25616-10TLC, CY7C1042V33-10SC