IS61WV102416BLL-10MLI 是一款高�、低功耗的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM�,由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造。該芯片具有 1M x 16 的存儲容�,總?cè)萘繛?16Mb。它采用先�(jìn)� CMOS 技�(shù)制�,適用于需要高可靠性和快速訪問時間的�(yīng)用場��
� SRAM 提供了寬電壓范圍和多種封裝選�(xiàng),支持工�(yè)級工作溫度范�,確保在各種�(huán)境下都能�(wěn)定運(yùn)�。其低功耗特性和快速訪問時間使其成為嵌入式系統(tǒng)、網(wǎng)�(luò)�(shè)備和消費(fèi)電子�(chǎn)品的理想選擇�
容量�16Mb (1M x 16)
核心電壓�1.71V � 1.98V
接口電壓�1.65V � 1.98V
�(shù)�(jù)寬度�16 �
訪問時間�10ns
工作溫度�-40°C � +85°C
封裝類型:TQFP-100
引腳間距�0.5mm
功耗:典型� 150mW
IS61WV102416BLL-10MLI 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高速性能:提� 10ns 的快速訪問時�,能夠滿足實(shí)時應(yīng)用的需求�
2. 低功耗設(shè)�(jì):優(yōu)化的 CMOS 工藝使其在高性能的同時保持較低的功耗水��
3. 寬電壓支持:支持 1.71V � 1.98V 的核心電壓和 1.65V � 1.98V 的接口電�,適�(yīng)不同電源需��
4. 多種封裝選擇:提供標(biāo)�(zhǔn) TQFP-100 封裝,便于集成到各種電路板中�
5. �(wěn)定的工作溫度范圍:能夠在 -40°C � +85°C 的工�(yè)級溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
6. 易于使用:簡單直觀的命令結(jié)�(gòu)和兼容性設(shè)�(jì),降低了開發(fā)難度�
這些特性使� IS61WV102416BLL-10MLI 成為需要大容量、高速度和低功耗存儲解決方案的理想選擇�
IS61WV102416BLL-10MLI 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 嵌入式系�(tǒng):用于存儲臨時數(shù)�(jù)和程序代�,提升系�(tǒng)的響�(yīng)速度�
2. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:在網(wǎng)�(luò)交換�(jī)、路由器等設(shè)備中作為緩存,提高數(shù)�(jù)傳輸效率�
3. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如數(shù)字電視、機(jī)頂盒等需要快速訪問存儲的場合�
4. 工業(yè)自動化:在控制模塊中作為高速數(shù)�(jù)緩沖區(qū)�
5. �(yī)療設(shè)備:用于圖像處理和數(shù)�(jù)采集的臨時存��
6. 軍用及航空航天:由于其可靠的性能和寬溫范�,適用于�(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)��
總之,任何需要高性能、低功� SRAM 的應(yīng)用場景都可以考慮使用 IS61WV102416BLL-10MLI�
IS61WV102416BBL-10BLLI
IS61WV102416BLL-12MLI
IS61WV102416BBL-12BLLI