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時(shí)間：2025/5/31 3:07:53
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IS61WV102416FBLL-8BLI 是一款由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生產(chǎn)的高速、低功耗靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。該器件采用 CMOS 工藝制造，具有高可靠性、低功耗和快速訪問時(shí)間的特點(diǎn)。其主要用途是在需要高性能數(shù)據(jù)緩存的應(yīng)用中提供穩(wěn)定的存儲(chǔ)支持。
該型號(hào)的 SRAM 具有 1M x 16 的組織結(jié)構(gòu)，總存儲(chǔ)容量為 16Mb。它支持同步和異步操作模式，并具備突發(fā)模式功能以優(yōu)化連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸?shù)男阅堋?/p>
存儲(chǔ)容量：16Mb
組織結(jié)構(gòu)：1M x 16
訪問時(shí)間：8ns
電源電壓：3.3V ± 0.3V
工作電流：95mA（典型值）
待機(jī)電流：2mA（典型值）
封裝類型：FBGA
引腳數(shù)：100
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
1. 高速訪問時(shí)間：IS61WV102416FBLL-8BLI 提供了僅 8ns 的快速訪問時(shí)間，非常適合對(duì)時(shí)延敏感的應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 低功耗設(shè)計(jì)：該芯片在工作和待機(jī)狀態(tài)下都表現(xiàn)出較低的功耗，有助于延長(zhǎng)電池供電設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。
3. 突發(fā)模式支持：通過內(nèi)置的突發(fā)模式功能，可以高效地進(jìn)行連續(xù)數(shù)據(jù)讀寫操作，從而提升系統(tǒng)整體性能。
4. 雙電源引腳配置：支持獨(dú)立的 VDD 和 VSS 引腳，確保穩(wěn)定的工作狀態(tài)。
5. 寬溫范圍：適用于工業(yè)級(jí)應(yīng)用環(huán)境，能在 -40°C 至 +85°C 的溫度范圍內(nèi)正常工作。
6. 多種操作模式：支持同步和異步操作模式，提供了更大的靈活性以適配不同的應(yīng)用場(chǎng)景。
IS61WV102416FBLL-8BLI 廣泛應(yīng)用于需要高性能存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)域，包括但不限于：
1. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備：如路由器、交換機(jī)等，用于臨時(shí)數(shù)據(jù)緩存和快速處理。
2. 工業(yè)控制：在 PLC、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)等設(shè)備中提供可靠的存儲(chǔ)支持。
3. 醫(yī)療設(shè)備：如超聲波儀器、監(jiān)護(hù)儀等，要求快速響應(yīng)和高精度的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
4. 消費(fèi)電子：如打印機(jī)、掃描儀等，用于緩沖和加速數(shù)據(jù)處理。
5. 嵌入式系統(tǒng)：作為主處理器的外部存儲(chǔ)擴(kuò)展，提升系統(tǒng)的整體性能。
IS61WV102416BULL-8TLI
IS61WV102416BLL-10BLL
IS61WV102416ALL-8BLI
