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IS61WV25616EDBLL-10TLI 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 10:03:14 查看 閱讀�23

IS61WV25616EDBLL-10TLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)的高速靜�(tài)隨機存取存儲器(SRAM�。該芯片采用CMOS工藝制造,具有低功耗和高性能的特�,適用于需要高�(shù)�(jù)吞吐量的�(yīng)用場景。其組織�(jié)�(gòu)�256K x 16�,總?cè)萘繛?Mbit,支持寬電壓范圍操作,并提供工業(yè)級溫度范圍支��

參數(shù)

存儲容量�4Mbit
  組織�(jié)�(gòu)�256K x 16
  核心電壓�1.71V - 1.98V
  輸入/輸出電壓�1.71V - 1.98V
  訪問時間�10ns
  �(shù)�(jù)保持時間:無�
  工作溫度�-40°C � +85°C
  封裝類型:TQFP
  引腳�(shù)�48
  �(shù)�(jù)寬度�16�

特�

IS61WV25616EDBLL-10TLI采用先�(jìn)的CMOS工藝,具備低功�、快速訪問時間和高可靠性等�(yōu)��
  1. 高速性能:訪問時間為10ns,確保了快速的�(shù)�(jù)讀寫能力�
  2. 低功耗設(shè)計:在保證性能的同時降低了功�,非常適合便攜式�(shè)備和其他對功耗敏感的�(yīng)用�
  3. 寬電壓范圍:支持1.71V�1.98V的核心和I/O電壓,適�(yīng)多種電源�(huán)境�
  4. 工業(yè)級溫度范圍:能夠�-40°C�+85°C的環(huán)境下�(wěn)定運�,適合惡劣的工作條件�
  5. 簡單的接口設(shè)計:易于集成到各種系�(tǒng)�,減少了開發(fā)時間和成本�

�(yīng)�

這款SRAM芯片廣泛�(yīng)用于通信、網(wǎng)�(luò)�(shè)�、消費電�、工�(yè)控制和汽車電子等�(lǐng)�。具體應(yīng)用場景包括:
  1. 路由器和交換機中的緩存功��
  2. 嵌入式系�(tǒng)的臨時數(shù)�(jù)存儲�
  3. 圖像處理和視頻捕捉設(shè)備中的幀緩沖�
  4. �(yī)療設(shè)備中的實時數(shù)�(jù)記錄�
  5. 工業(yè)自動化控制系�(tǒng)中的高速數(shù)�(jù)暫存�

替代型號

IS61WV25616BLL-10TLI
  IS61WV25616DBLL-10G
  IS61WV25616DBLL-12G

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  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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is61wv25616edbll-10tli�(chǎn)�

is61wv25616edbll-10tli參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝135
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲�
  • 系列-
  • 格式 - 存儲�RAM
  • 存儲器類�SRAM - 異步
  • 存儲容量4M (256K x 16)
  • 速度10ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓2.4 V ~ 3.6 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼44-TSOP�0.400"�10.16mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�44-TSOP II
  • 包裝托盤
  • 其它名稱706-1146