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ISC080N10NM6 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 18:54:51 查看 閱讀�28

ISC080N10NM6 是一款基于硅技�(shù)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用小型化的封裝設(shè)�(jì),適用于高效�、高密度的開(kāi)�(guān)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能,能夠在高頻條件下提供優(yōu)異的功率�(zhuǎn)換效��
  ISC080N10NM6 主要面向消費(fèi)類電�、工�(yè)�(shè)備以及通信�(lǐng)域中的負(fù)載切�、DC-DC �(zhuǎn)換和同步整流等場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�8mΩ
  柵極電荷�29nC
  輸入電容�1540pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� to +150�

特�

ISC080N10NM6 的主要特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損�,優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)可降低開(kāi)�(guān)損�。此外,該器件具有快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠有效提高系�(tǒng)的工作頻率并減小磁性元件的體積。其�(jiān)固的�(shè)�(jì)支持較高的雪崩能力和 ESD 性能,從而增�(qiáng)了可靠��
  � MOSFET 還具備較低的熱阻和良好的散熱性能,有助于提升在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定�。同�(shí),其緊湊的封裝形式使� PCB 布局更加靈活,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)景�

�(yīng)�

ISC080N10NM6 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�,例� AC-DC �(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、適配器、充電器、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路和電池管理系�(tǒng) (BMS) ��
  它也適用于電信設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路,以及工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源模塊和逆變�。憑借其高性能和可靠�,ISC080N10NM6 成為許多�(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)�(jì)的理想選��

替代型號(hào)

IRF840,
  STP80NF10,
  INFINEON IPW80N10N3G

isc080n10nm6推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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