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ISC230N10NM6 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 12:58:09 查看 閱讀�19

ISC230N10NM6是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于各種開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高電流處理能力和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(lǐng)��
  ISC230N10NM6的設(shè)�(jì)�(yōu)化了其在高頻開關(guān)�(huán)境中的表�(xiàn),能夠顯著降低功耗并提高效率。同�(shí),它具備出色的熱性能和耐用性,能夠在嚴(yán)苛的工作條件下穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

型號:ISC230N10NM6
  類型:N溝道MOSFET
  封裝:TO-252 (DPAK)
  最大漏源電�(Vdss)�100V
  最大柵極源極電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�8.7A
  最大脈沖漏極電�(Ip)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�30mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�2.4W
  工作溫度范圍(Tj)�-55℃至+175�
  柵極電荷(Qg)�16nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�90ns(典型值)

特�

ISC230N10NM6具有以下主要特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有效減少功率損��
  2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
  3. 高擊穿電�(100V),保證在高壓�(huán)境下可靠�(yùn)��
  4. 較大的漏極電流能�,支持高功率輸出�
  5. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫條件下長�(shí)間工作�
  6. 封裝緊湊,便于PCB布局與散熱設(shè)�(jì)�
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且兼容�(xiàn)代電子制造流程�
  這些特性使ISC230N10NM6成為眾多功率管理�(yīng)用的理想選擇,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、LED�(qū)�(dòng)電路、電池保�(hù)電路以及工業(yè)控制�(shè)備等�

�(yīng)�

ISC230N10NM6適用于多種場�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器或主開�(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān),用于降壓或升壓模式�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用中作為�(qū)�(dòng)級或橋式電路的一部分�
  4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,確保系�(tǒng)在過流或短路情況下的安全��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號放大和隔離�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和負(fù)載控��
  7. LED照明�(qū)�(dòng)�,提供高效且�(wěn)定的電流輸出�
  憑借其�(yōu)越的電氣性能和可靠�,ISC230N10NM6能夠滿足大多�(shù)中高功率�(yīng)用場景的需��

替代型號

IRLZ44N, AO3400A, FDP5570N

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