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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > ISS55EP06LM

ISS55EP06LM 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 10:56:32 查看 閱讀�22

ISS55EP06LM是由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)的一款低功耗、高性能的SPI接口閃存芯片。該器件主要�(yīng)用于需要高可靠性和快速讀取功能的�(chǎng)�,如嵌入式系�(tǒng)、消�(fèi)電子�(shè)備和工業(yè)控制�(lǐng)��
  該芯片采用標(biāo)�(zhǔn)的SPI�(xié)議�(jìn)行數(shù)�(jù)傳輸,并支持雙IO與四IO模式以提高數(shù)�(jù)吞吐�。它具備深度掉電模式(Deep Power Down Mode�,從而降低功耗,非常適合�(duì)功耗敏感的�(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

容量�64Mb
  接口類型:SPI
  工作電壓Vcc�1.7V�3.6V
  工作頻率:最�104MHz (在四線模式下)
  封裝形式:TFBGA-24
  溫度范圍�-40°C � +85°C
  �(yè)大小�256字節(jié)
  扇區(qū)�?�?KB
  塊大小:64KB
  擦除�(shí)間:典型�2ms (4KB 扇區(qū))
  編程�(shí)間:典型�250us (單頁(yè))

特�

ISS55EP06LM具有多種先�(jìn)特�,其中包括高速讀寫能力、低功耗運(yùn)行模式以及高可靠�。具體如下:
  1. 支持�(biāo)�(zhǔn)、雙重和四重輸出SPI模式,可顯著提升�(shù)�(jù)傳輸速度�
  2. �(nèi)置ECC引擎,用于自�(dòng)糾正存儲(chǔ)單元中的�(cuò)�,從而增�(qiáng)�(shù)�(jù)完整��
  3. 深度掉電模式能夠?qū)⒋龣C(jī)功耗降到最低,非常適合電池供電�(shè)��
  4. 具有硬件/軟件保護(hù)�(jī)制,防止非法寫入或擦除操��
  5. 提供靈活的地址映射方式,方便用戶自定義分區(qū)管理�
  6. 高溫�(wěn)定性強(qiáng),能夠在惡劣�(huán)境下正常工作�

�(yīng)�

ISS55EP06LM廣泛適用于各類需要非易失性存�(chǔ)器的�(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
  1. 嵌入式系�(tǒng)中作為代碼存�(chǔ)介質(zhì)�
  2. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的�(shù)�(jù)記錄與備��
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,例如數(shù)碼相�(jī)、智能家居設(shè)備等中的固件存儲(chǔ)�
  4. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中的配置文件存�(chǔ)�
  5. �(yī)療設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)�(jù)保存�

替代型號(hào)

IS25LP064A
  W25Q64JV
  MX25L6406E

iss55ep06lm推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)