ITS4140N是一種高性能的N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于電源管理、電機驅動和開關電路等領域。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開關特性,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
ITS4140N的設計注重在高頻開關應用中的表現(xiàn),適用于多種電子設備中的負載切換和DC-DC轉換器場景。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:23A
導通電阻:4.0mΩ
柵極電荷:79nC
開關時間:t_on=18ns, t_off=36ns
工作結溫范圍:-55℃至150℃
ITS4140N具備以下主要特性:
1. 極低的導通電阻,可顯著減少傳導損耗。
2. 快速開關速度,適合高頻應用。
3. 較低的柵極電荷和輸出電容,提高了整體效率。
4. 高雪崩能量能力,增強了器件的魯棒性。
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
6. 小型封裝選項,便于PCB布局設計。
ITS4140N適用于各種電力電子應用,包括但不限于:
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC轉換器的主開關或同步整流元件。
3. 電池保護電路中的負載開關。
4. 電機驅動中的功率級控制。
5. 各種工業(yè)和消費類電子產品的負載切換。
6. 通信設備中的高效功率管理解決方案。
IRLB8748PBF, AO4404N