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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IXDR35N60BD1

IXDR35N60BD1 發(fā)布時間 時間�2023/3/6 15:15:55 查看 閱讀�629

    晶體管類�:NPT

    飽和電壓, Vce sat 最�:2.7V

    封裝類型:ISOPLUS-247

    


目錄

概述

    晶體�類型:NPT

    飽和電壓, Vce sat 最�:2.7V

    封裝類型:ISOPLUS-247

    上升時間:70ns

    下降時間:70ns

    功�:125W

    封裝類型:ISOPLUS-247

    晶體管極�:NPN

    最大連續(xù)電流, Ic:38A

    熱阻, 結至外殼 A:1°C/W

    電壓, Vces:600V

    表面安裝器件:通孔安裝

    針腳配置:Copack (FRD)


資料

廠商
IXYS

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ixdr35n60bd1參數(shù)

  • 標準包裝30
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型NPT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.7V @ 15V�35A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)38A
  • 功率 - 最�125W
  • 輸入類型標準�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應商設備封�ISOPLUS247?
  • 包裝管件