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IXEN60N120D1 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2024/9/25 10:38:19 查看 閱讀：760

參數(shù)

制造商:IXYS
　　封裝/箱體:SOT-227B
　　集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO:1200 V
　　集電極—射極飽和電壓:2.1 V
　　柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
　　集電極最大連續(xù)電流Ic:100 A

封裝參數(shù)

封裝:Tube
　　配置:Single

物理參數(shù)

最大工作溫度:+150 C
　　最小工作溫度:-40 C

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ixen60n120d1參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝10
  • 類別半導(dǎo)體模塊
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 類型NPT
  • 配置單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）1200V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）2.7V @ 15V，60A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）100A
  • 電流 - 集電極截止（最大）800µA
  • Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)3.8nF @ 25V
  • 功率 - 最大445W
  • 輸入標(biāo)準(zhǔn)型
  • NTC 熱敏電阻無
  • 安裝類型底座安裝
  • 封裝/外殼SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-227B