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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IXFN36N100

IXFN36N100 發(fā)布時間 時間�2023/3/6 15:14:20 查看 閱讀�765

    類別:半導體模塊

    家庭:MOSFETs

    系列:HiPerFET?

   

目錄

概述

    類別:半導體模塊

    家庭:MOSFETs

    系列:HiPerFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�240 毫歐 @ 500mA, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�1000V (1kV)

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�36A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�5V @ 8mA

    閘電�(Qg) @ Vgs�380nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �9200pF @ 25V

    功率 - 最大:700W

    安裝類型:底座安�

    封裝/外殼:SOT-227, miniBLOC

    包裝:管�

    供應商設備封裝:*



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IXYS

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ixfn36n100參數

  • 標準包裝10
  • 類別半導體模�
  • 家庭FET
  • 系列HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)1000V�1kV�
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C36A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C240 毫歐 @ 500mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs380nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9200pF @ 25V
  • 功率 - 最�700W
  • 安裝類型底座安裝
  • 封裝/外殼SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商設備封�SOT-227B
  • 包裝管件