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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IXFN82N60P

IXFN82N60P 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 14:32:05 查看 閱讀�510

    類別:半�(dǎo)體模�

    家庭:MOSFETs

    系列:PolarHV?

  

目錄

概述

    類別:半�(dǎo)體模�

    家庭:MOSFETs

    系列:PolarHV?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�75 毫歐 @ 41A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�600V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�72A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�5V @ 8mA

    閘電�(Qg) @ Vgs�240nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �23000pF @ 25V

    功率 - 最大:1040W

    安裝類型:底座安�

    封裝/外殼:SOT-227, miniBLOC

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*


資料

廠商
IXYS

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ixfn82n60p參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝10
  • 類別半導(dǎo)體模�
  • 家庭FET
  • 系列PolarHV™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C72A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫歐 @ 41A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs240nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds23000pF @ 25V
  • 功率 - 最�1040W
  • 安裝類型底座安裝
  • 封裝/外殼SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-227B
  • 包裝管件