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IXFR180N10 發(fā)布時間 時間：2023/11/28 17:19:24 查看 閱讀：215

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：MOSFET，GaNFET - 單
系列：HiPerFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫歐 @ 90A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：165A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：400nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：9400pF @ 25V
功率 - 最大：400W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：ISOPLUS247?
包裝：管件

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ixfr180n10參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C165A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C8 毫歐 @ 90A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 8mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs400nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9400pF @ 25V
  • 功率 - 最大400W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝ISOPLUS247?
  • 包裝管件