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IXFT20N100P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/7 14:31:27 查看 閱讀�582

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:Polar?

    

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:Polar?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�570 毫歐 @ 500mA, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�1000V (1kV)

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�20A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�6.5V @ 1mA

    閘電�(Qg) @ Vgs�126nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �7300pF @ 25V

    功率 - 最大:660W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:TO-268

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*


資料

廠商
IXYS

ixft20n100p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ixft20n100p參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)1000V�1kV�
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C570 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)6.5V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs126nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds7300pF @ 25V
  • 功率 - 最�660W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-268-3,D³Pak�2 引線+接片�,TO-268AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-268
  • 包裝管件