類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET-�
系列:HiPerFET?
FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
FET特點:標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�320毫歐 500mA,10V
漏極至源極電�(Vdss)�600V
電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�23A
Id時的Vgs(th)(最大)�4.5V 4mA
閘電�(Qg) Vgs�90nC 10V
在Vds時的輸入電容(Ciss)�3300pF 25V
功率-最大:400W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:TO-268
包裝:散�