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IXFV22N50P 發(fā)布時間 時間：2024/9/23 13:46:53 查看 閱讀：226

參數(shù)

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-單
　　系列：PolarHV?
　　FET型：MOSFET N通道，金屬氧化物
　　FET特點：標準型
　　開態(tài)Rds（最大） Id,Vgs 25°C：270毫歐 500mA,10V
　　漏極至源極電壓(Vdss)：500V
　　電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C：22A
　　Id時的Vgs(th)（最大）：5.5V 2.5mA
　　閘電荷(Qg) Vgs：50nC 10V
　　在Vds時的輸入電容(Ciss)：2630pF 25V
　　功率-最大：350W

封裝參數(shù)

安裝類型：通孔
　　封裝/外殼：PLUS-220
　　包裝：管件

ixfv22n50p推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ixfv22n50p參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列PolarHV™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C22A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C270 毫歐 @ 11A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）5.5V @ 2.5mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2630pF @ 25V
  • 功率 - 最大350W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3（SMT）標片
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PLUS220
  • 包裝管件