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IXFV52N30P 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2024/9/23 11:48:27 查看 閱讀:227

參數(shù)

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  家庭:MOSFET,GaNFET-單
  系列:PolarHT?
  FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
  FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型
  開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C:66毫歐 500mA,10V
  漏極至源極電壓(Vdss):300V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C:52A
  Id時(shí)的Vgs(th)(最大):5V 4mA
  閘電荷(Qg) Vgs:110nC 10V
  在Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):3490pF 25V
  功率-最大:400W

封裝參數(shù)

安裝類型:通孔
  封裝/外殼:PLUS-220
  包裝:管件

ixfv52n30p推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ixfv52n30p參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列PolarHT™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)300V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C52A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C66 毫歐 @ 500mA,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)5V @ 4mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3490pF @ 25V
  • 功率 - 最大400W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3(SMT)標(biāo)片
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PLUS220
  • 包裝管件