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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IXGE200N60B

IXGE200N60B 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 14:29:23 查看 閱讀�618

    制造商: IXYS

    封裝 / 箱體: ISOPLUS 227

    集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 600 V

    

目錄

概述

    制造商: IXYS

    封裝 / 箱體: ISOPLUS 227

    集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 600 V

    柵極/�(fā)射極最大電�: +/- 20 V

    集電極最大連續(xù)電流 Ic: 160 A

    封裝: Tube

    配置: Single Dual Emitter

    最大工作溫�: + 150 C

    最小工作溫�: - 40 C

    安裝�(fēng)�: Screw


資料

廠商
IXYS

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ixge200n60b參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝10
  • 類別半導(dǎo)體模�
  • 家庭IGBT
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 類型-
  • 配置單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.3V @ 15V�120A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)160A
  • 電流 - 集電極截止(最大)200µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)11nF @ 25V
  • 功率 - 最�416W
  • 輸入�(biāo)�(zhǔn)�
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型底座安裝
  • 封裝/外殼ISOPLUS227?
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ISOPLUS220?