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IXTK17N120L 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/6 13:47:14 查看 閱讀：486

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

  

目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

    FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型

    開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：900 毫歐 @ 500mA, 20V

    漏極至源極電壓(Vdss)：1200V (1.2kV)

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：17A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：155nC @ 15V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：8300pF @ 25V

    功率 - 最大：700W

    安裝類型：通孔

    封裝/外殼：TO-264

    包裝：管件

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：*


資料

廠商
IXYS

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ixtk17n120l參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝25
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)1200V（1.2kV）
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C900 毫歐 @ 8.5A，20V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs155nC @ 15V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds8300pF @ 25V
  • 功率 - 最大700W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-264-3，TO-264AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-264
  • 包裝管件