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IXTQ220N055T 發(fā)布時間 時間�2024/9/13 11:08:25 查看 閱讀�237


技�(shù)參數(shù)

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
  家庭:MOSFET,GaNFET-�
  系列:TrenchMV
  FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
  FET特點:標(biāo)�(zhǔn)�
  開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�4毫歐 25A,10V
  漏極至源極電�(Vdss)�55V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�220A
  Id時的Vgs(th)(最大)�4V 250μA
  閘電�(Qg) Vgs�158nc 10V
  在Vds時的輸入電容(Ciss)�7200pF 25V
  功率-最大:430W

封裝參數(shù)

安裝類型:通孔
  封裝/外殼:TO-3P
  包裝:管�

物理參數(shù)

工作溫度�-55℃~175�(TJ)

ixtq220n055t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ixtq220n055t參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchMV™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C220A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫歐 @ 25A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs158nc @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds7200pF @ 25V
  • 功率 - 最�430W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-3P
  • 包裝管件