類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET-�
系列:TrenchP
FET型:MOSFET P通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�65毫歐 500mA,10V
漏極至源極電�(Vdss)�150V
電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�44A
Id�(shí)的Vgs(th)(最大)�4V 250μA
閘電�(Qg) Vgs�175nC 10V
在Vds�(shí)的輸入電�(Ciss)�13400pF 25V
功率-最大:298W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P
包裝:管�
工作溫度:-55℃~150�(TJ)