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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IXTR20P50P

IXTR20P50P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/9/6 14:39:04 查看 閱讀�551

技�(shù)參數(shù)

耗散功率:190W(Tc)
  漏源極電�(Vds):500 V
  輸入電容(Ciss):5120pF 25V(Vds)
  耗散功率(Max):190W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  封裝:TO-247-3

物理參數(shù)

工作溫度:-55℃~150�(TJ)

ixtr20p50p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ixtr20p50p參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PolarP™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C490 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs103nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5120pF @ 25V
  • 功率 - 最�190W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ISOPLUS247?
  • 包裝管件