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J110 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/13 15:10:04 查看 閱讀：758

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)

    系列：-

   

目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)

    系列：-

    電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)：10mA @ 15V

    漏極至源極電壓(Vdss)：-

    漏極電流 (Id) - 最大：-

    FET 型：N 溝道

    電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：25V

    電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id：500mV @ 10nA

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：-

    電阻 - RDS（開）：18 歐姆

    安裝類型：通孔

    包裝：散裝

    封裝/外殼：TO-92-3（標(biāo)準(zhǔn)主體），TO-226

    功率 - 最大：625mW

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：*

    其它名稱：J110FS


資料

廠商
InterFET
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j110參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)
  • 系列-
  • 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)10mA @ 15V
  • 漏極至源極電壓(Vdss)-
  • 漏極電流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 溝道
  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)25V
  • 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id500mV @ 1µA
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 電阻 - RDS（開）18 歐姆
  • 安裝類型通孔
  • 包裝散裝
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-92-3
  • 功率 - 最大310mW
  • 其它名稱J110OS