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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > JANTX2N6766

JANTX2N6766 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 16:44:15 查看 閱讀�18

JANTX2N6766 是一種軍用級(jí)別的 N �(méi)� P 型硅�(kāi)�(guān)晶體�,設(shè)�(jì)用于需要高可靠性和耐極端環(huán)境的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件適用于高�、高速切換和放大電路�,具有良好的電氣性能和穩(wěn)定��
  JANTX2N6766 符合美國(guó)軍用�(biāo)�(zhǔn) MIL-STD-750 � MIL-STD-883,能夠在惡劣的溫度范圍(-55°C � +125°C)內(nèi)正常工作,同�(shí)具備抗輻射特�,廣泛應(yīng)用于�(shè)備中�

參數(shù)

�(lèi)型:NPN
  集電�-�(fā)射極電壓(Vce):80V
  集電極電流(Ic):0.4A
  功率耗散(Ptot):625mW
  增益帶寬積:2GHz
  最大工作頻率(Ft):1.5GHz
  �(jié)溫范圍:-55°C � +125°C

特�

JANTX2N6766 的主要特性包括:
  1. 高頻性能:其高達(dá) 1.5GHz 的最大工作頻率使其非常適合射頻和微波�(yīng)��
  2. 軍用�(jí)別可靠性:符合 MIL-STD �(biāo)�(zhǔn),確保在極端條件下的�(wěn)定運(yùn)行�
  3. 抗輻射能力:能夠抵抗宇宙射線(xiàn)和其他輻射源的影�,適合航天器和衛(wèi)星使用�
  4. 小信�(hào)處理能力:低噪聲和快速響�(yīng)�(shí)間使其成為小信號(hào)放大的理想選��
  5. �(wěn)定性:即使在高溫或低溫�(huán)境下,也能保持較高的性能一致性�

�(yīng)�

JANTX2N6766 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 航空航天:包括衛(wèi)星通信系統(tǒng)、雷�(dá)裝置和導(dǎo)航儀器�
  2. 軍事電子:如�(dǎo)彈制�(dǎo)系統(tǒng)、無(wú)�(xiàn)通訊�(shè)備和電子�(duì)抗裝��
  3. 工業(yè)控制:用于高頻驅(qū)�(dòng)器和精密傳感器接口�
  4. �(yī)療設(shè)備:如超聲波成像儀中的信號(hào)放大模塊�
  5. �(shí)�(yàn)室儀器:例如高頻信號(hào)�(fā)生器和示波器中的核心元件�

替代型號(hào)

2N6766, MJANTX2N6766

jantx2n6766推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

jantx2n6766資料 更多>

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  • 描述
  • 品牌
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jantx2n6766參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/543
  • 包裝散裝
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�200 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)30A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)90 毫歐 @ 30A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)115 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4W(Ta��150W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-3
  • 封裝/外殼TO-204AE