JANTXV1N6642US 是一款由 Vishay 提供的高� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 芯片,專為軍用和航空航天�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件具有出色的開�(guān)特性和低導(dǎo)通電�,能夠承受高�(dá) 650V 的漏源極電壓。它適用于需要高可靠性和極端�(huán)境條件下的電路,例如電源管理、電�(jī)�(qū)動和功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
JANTXV 系列代表符合 MIL-PRF-19500 �(biāo)�(zhǔn)� MOSFET,確保了其在惡劣�(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:650V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.45Ω
功耗:175W
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-247
1. 高電壓耐受能力,支持高�(dá) 650V 的漏源電��
2. 低導(dǎo)通電� (Rds(on)),減少功率損耗并提高效率�
3. 符合 MIL-PRF-19500 �(biāo)�(zhǔn),具備卓越的可靠性和�(wěn)定��
4. 支持高結(jié)溫范� (-55� � +175�),適�(yīng)極端工作�(huán)��
5. 快速開�(guān)特性,適合高頻�(yīng)��
6. 高浪涌電流能力,增強(qiáng)對瞬�(tài)事件的抗擾��
1. 軍用和航空航天領(lǐng)域的電源管理系統(tǒng)�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動與控制�
3. 高壓 DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器�
4. 開關(guān)電源 (SMPS) 和不間斷電源 (UPS)�
5. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率管理模��
6. 極端�(huán)境下工作的電子設(shè)�,如石油勘探、氣象監(jiān)測等�
IRF6642,
Vishay SiHF6642,
BSC088N06NS3