JANTXV2N6989U 是一種高可靠性軍用級(jí)別的�(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET�,設(shè)�(jì)用于極端�(huán)境下的開�(guān)和放大應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,確保在惡劣條件下具備出色的穩(wěn)定性和耐用�。其廣泛�(yīng)用于航空航天、國(guó)防以及工�(yè)控制等領(lǐng)�,具有極高的溫度適應(yīng)能力、抗輻射性能以及低噪聲特性�
該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,能夠提供快速的開關(guān)速度和較低的�(dǎo)通電�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源電壓(Vds)�50V
柵源電壓(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�4A
功�(Ptot)�15W
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.3Ω
開關(guān)�(shí)間:ton=25ns, toff=45ns
工作溫度范圍�-55°C � +125°C
JANTXV2N6989U 的主要特性包括:
1. 軍用�(jí)品質(zhì),適合極端環(huán)境條件下的使��
2. 高溫適應(yīng)能力,能夠在 -55°C � +125°C 的溫度范圍內(nèi)正常�(yùn)��
3. 抗輻射性能�(qiáng),特別適用于航天及軍事領(lǐng)域中的高輻射�(huán)��
4. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 提供了高效的功率傳輸和較低的能量損��
5. 快速開�(guān)速度,支持高頻電路的�(yīng)用需��
6. �(wěn)定可靠的電氣性能,經(jīng)過嚴(yán)格的篩選和測(cè)試以保證一致��
7. 符合 MIL-PRF-19500 �(biāo)�(zhǔn),確保了其高可靠性和�(zhǎng)期使用壽��
JANTXV2N6989U 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 航空航天系統(tǒng)中的電源管理模塊�
2. �(guó)防電子設(shè)備中的信�(hào)處理和放大電��
3. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的高速開�(guān)電路�
4. 高能物理�(shí)�(yàn)裝置中的精密�(cè)量電��
5. 通信基站中的射頻功率放大��
6. �(yī)療成像設(shè)備中的高性能�(shù)�(jù)采集系統(tǒng)�
7. 其他需要高可靠性和抗惡劣環(huán)境特性的電子�(chǎn)品中�
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